SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用單端（Single-Ended）時鐘信號,第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。
 
內(nèi)存芯片想要工作的話，必須要與內(nèi)存控制器有所聯(lián)系，同時對于一個電氣元件，電源供應也是必不可少的，而且數(shù)據(jù)的傳輸要有一個時鐘作為觸發(fā)參考。因此SDRAM在封裝時就要留出相應的引腳以供使用。電源與時鐘的引腳就不必多說了，可以想象一下應該有那些控制引腳呢？
 
從內(nèi)存尋址的步驟縷下來就基本明白了，從中就能了解內(nèi)存工作的大體情況。這里需要說明的是SDRAM有著自己的業(yè)界設計規(guī)范，在一個容量標準下，SDRAM的引腳/信號標準不能只考慮一種位寬的設計，而是要顧及多種位寬，然后盡量給出一個通用的標準，小位寬的芯片也行會空出一些引腳，但高位寬的芯片可能就全部用上了。不過容量不同時，設計標準也會有所不同，一般的容量越小的芯片所需要的引腳也就也少。
 
(1)首先我們知道內(nèi)存控制器要先確定一個芯片，然后才對芯片進行尋址操作。因此要有一個片選信號，它用來選擇芯片。被選擇的芯片將接收或讀取數(shù)據(jù)，所以要有一個片選信號。
 
(2)接下來對被選中的芯片進行同一的L-Bank的尋址，目前SDRAM中L-Bank的數(shù)量最高為4個，所以要兩個L-Bank地址信號。
 
(3)最后就是對選中的芯片進行同一的行/列尋址。地址線數(shù)量要根據(jù)芯片的組織結(jié)構(gòu)分別設計了。但在相同容量下，行數(shù)是不變，只有列數(shù)會根據(jù)位寬而變化，位寬越大而列數(shù)越少，因為所需的存儲單元已經(jīng)減少了。
 
(4)找到存儲單元后，被選中的芯片就要進行統(tǒng)一的數(shù)據(jù)傳輸，那么肯定要有與位寬相同數(shù)量的數(shù)據(jù)I/O通道才行，所以肯定要有相應數(shù)量的數(shù)據(jù)線引腳。

本文關鍵詞：SDRAM

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