基于NAND閃存的SSD解決方案的STT-MRAM
2020-02-08 13:29:38
作為克服現(xiàn)有基于NAND閃存的SSD的解決方案,Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM,可通過提供高速非易失性存儲(chǔ)來提高SSD的系統(tǒng)性能和可靠性。機(jī)上數(shù)據(jù)。通過添加STT-MRAM來補(bǔ)充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM(圖1),SSD控制器現(xiàn)在可以將該高速非易失性存儲(chǔ)器用于寫緩沖區(qū)和之前運(yùn)行的任何其他關(guān)鍵數(shù)據(jù)易揮發(fā)的。
圖1具有電源故障保護(hù)功能的混合DDR / STT-MRAM SSD架構(gòu)
對于企業(yè)級固態(tài)硬盤,電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)很重要。系統(tǒng)必須檢測電源故障,將驅(qū)動(dòng)器與主機(jī)隔離,并用足夠的能量存儲(chǔ)來支撐驅(qū)動(dòng)器,以允許將任何運(yùn)行中的數(shù)據(jù)提交到非易失性存儲(chǔ)器中,以確保數(shù)據(jù)完整性。完成此操作所需的保持能量與飛行中的數(shù)據(jù)量,非易失性存儲(chǔ)器的速度和系統(tǒng)的功耗成正比。可以將這種保持能量存儲(chǔ)提供的時(shí)間量視為電源故障窗口或在耗盡保持能量之前可用于存儲(chǔ)不受保護(hù)的數(shù)據(jù)的時(shí)間。
為了支持由不同等級的不同內(nèi)存類型組成的異構(gòu)DDR架構(gòu),理想情況下,SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時(shí)序和尋址要求,以實(shí)現(xiàn)最佳性能。 SSD控制器還必須采用其他邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區(qū)中正在傳輸?shù)纳倭砍qv數(shù)據(jù),以確保在斷電之前將管線刷新到
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Everspin代理英尚微電子提供不同容量大小的MRAM芯片
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