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非易失性MRAM的四大優(yōu)勢(shì)
MRAM技術(shù)在理論上具備超越DRAM的存取速度,接近SRAM的性能,并且在斷電后能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。EverspinMRAM產(chǎn)品具有抗熱消磁功能的eMRA
適用于PLC的存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A
Everspin的1Mb x16并行接口MRAM專(zhuān)為可編程邏輯控制器(PLC)設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)主流存儲(chǔ)器不同,Everspin的MRAM能在惡劣環(huán)境下確保數(shù)據(jù)的完整
汽車(chē)工業(yè)非易失性存儲(chǔ)器MRAM技術(shù)
汽車(chē)工業(yè)正在采納一系列新型非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),包括MRAM、相變存儲(chǔ)器(PCRAM)和RRAM。這些先進(jìn)的存儲(chǔ)器技術(shù)在汽車(chē)運(yùn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間
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