Everspin并行接口MRAM
2018-05-03 10:08:17
EverSpin的技術(shù)是領(lǐng)先的開發(fā)商和磁性RAM(MRAM)制造商,提供獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品。作為世界上第一個(gè)量MRAM的供應(yīng)商,EverSpin的已確立了自己的“MRAM公司”擁有超過600項(xiàng)專利和應(yīng)用,其中許多是根本和MRAM技術(shù)必不可少的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。今天EverSpin的MRAM交付產(chǎn)品在數(shù)據(jù)中心和存儲(chǔ),能源和基礎(chǔ)設(shè)施,以及汽車和交通運(yùn)輸市場廣泛應(yīng)用,并期望成為ST-MRAM的業(yè)界首款量的供應(yīng)商。
Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲(chǔ)器,具有快速(35ns)、非易失性、無限次讀寫的特性,可完全替代SRAM、FRAM。對于必須永久保存、快速恢復(fù)重要數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MRAM存儲(chǔ)器是理想的存儲(chǔ)器方案。
以下是Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲(chǔ)器的型號(hào)參考:
Density |
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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并行接口MRAM
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