據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計，2017年全年DRAM整體價格漲幅將高達39%，在智能手機存儲器容量增加以及服務(wù)器需求的帶動下，明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象。

　　
根據(jù)市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，以至于2017年第一季度上漲30%以上。從DRAM市場整體情況來看，今年第三季度平均漲幅約7%，未來第四季度漲幅約5%-10%，雖然漲幅差不多，但是到了2018年，漲幅會逐漸趨于平穩(wěn)，相比2017年，漲幅不會太大。

　　
DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因為以下幾點：
第一，近年來，華為、小米以及OPPO等國產(chǎn)手機開始走中高端路線。
第二，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對于DRAM需求變強。
第三， DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限，技術(shù)研發(fā)難度增加，導致供貨短缺。

　　
關(guān)于NAND Flash未來走勢情況，據(jù)業(yè)者分析，今年第四季度在蘋果需求的影響下，其缺口會逐漸擴大，但是除蘋果之外，其他手機廠商用不上NAND Flash，所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季，整體價格可能會不升反降。

　　
在芯片市場的沖擊下，美光科技、三星電子以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額，強勢控制價格增長的比率。至于國內(nèi)外其余芯片企業(yè)，則“分羹”較少，處于緊追猛趕的狀態(tài)，但整體來看，國內(nèi)外市場短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景。


本文關(guān)鍵詞：NAND Flash   DRAM

相關(guān)文章：AT45DB161B存儲器讀/寫子程序