從應(yīng)用角度看，PRAM可用于所有存儲(chǔ)器，特別適用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通信三合一電子設(shè)備的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。常用相變材料晶態(tài)電阻率和結(jié)晶溫度低、熱穩(wěn)定性差，需要通過(guò)摻雜來(lái)改善性能。

　　
目前，人們也在尋找性能更加優(yōu)良的相變材料，以最大限度地發(fā)揮PRAM的優(yōu)越性。

FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)，已成為存儲(chǔ)器家族中最有發(fā)展?jié)摿Φ男鲁蓡T之一。它使用一層有鐵電性的材料取代原有的介電質(zhì)，使得它也擁有像EEPROM一樣的非易失性?xún)?nèi)存的優(yōu)勢(shì)，在沒(méi)有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。FRAM具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。

　　
作為非易失性存儲(chǔ)器，F(xiàn)RAM具有接近SRAM和DRAM等傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器級(jí)別的高速寫(xiě)入速度，讀寫(xiě)周期只有傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)萬(wàn)分之一，但讀寫(xiě)耐久性卻是后者的1000萬(wàn)倍，達(dá)到了10萬(wàn)億次，可實(shí)現(xiàn)高頻繁的數(shù)據(jù)紀(jì)錄。

　　
目前，廠商正在研究如何解決由陣列尺寸限制帶來(lái)的FRAM成品率問(wèn)題，進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度和可靠性?，F(xiàn)在，F(xiàn)RAM技術(shù)研發(fā)的主要方向是130nm工藝的64Mb存儲(chǔ)器。如今，富士通半導(dǎo)體集團(tuán)把控著FRAM的整個(gè)生產(chǎn)程序，在日本有芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝設(shè)施。

　　
與傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)相比，新一代存儲(chǔ)具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)。以FRAM為例，以“多、快、省”的特點(diǎn)在業(yè)界別具一格，能夠解決應(yīng)用瓶頸，促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新。

　　
“多”是指FRAM的高讀寫(xiě)耐久性(10萬(wàn)億次)的特點(diǎn)，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”是指高速燒寫(xiě)特性，可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電丟失數(shù)據(jù)的問(wèn)題;“省”是指FRAM超低功耗的特性，特別是寫(xiě)入時(shí)無(wú)需升壓。

將照相機(jī)實(shí)拍的一張照片分別存儲(chǔ)到EEPROM和FRAM中，直觀比較圖像數(shù)據(jù)寫(xiě)入過(guò)程中EEPROM和FRAM的性能差異?？梢园l(fā)現(xiàn)使用并口傳輸數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)用了約0.19秒，而EEPROM用了約6.23秒;FRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的比特率約為808kB/s，而EEPROM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的比特率約為24kB/s;功耗方面，F(xiàn)RAM約為0.4mW，而EEPROM約為61.7mW。FRAM的快速讀寫(xiě)和超低功耗特性不言而喻。

本文關(guān)鍵詞： FRAM  閃存  非易失性存儲(chǔ)器    相關(guān)文章：可替代閃存的存儲(chǔ)新技術(shù)（一）

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