符合汽車行業(yè)AEC Q100規(guī)范的富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器解決方案
2020-06-01 09:29:35
汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過(guò)全新
FRAM解決方案,得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY,這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作,專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì),且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。希望通過(guò)該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場(chǎng)的各種應(yīng)用,并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目。
FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加,因此對(duì)于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來(lái)越高,因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí),只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM
鐵電存儲(chǔ)器屬于非失去性內(nèi)存,不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取,且擁有高耐寫度的特性,因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。
富士通電子車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面,提供128kbit和256kbit兩個(gè)容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V,操作溫度范圍為攝氏零下40~125度,這樣的寬溫范圍符合車用市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達(dá)10兆次的寫入次數(shù),采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝。
目前FRAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、事故數(shù)據(jù)記錄器(EDR)、電池管理系統(tǒng)(BMS)、汽車駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實(shí)時(shí)且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存,故能降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。
本文關(guān)鍵詞: FRAM 富士通 MB85RS128TY MB85RS256TY
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