ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
2020-05-25 10:06:45
美國
ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM,組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP(I型)中。
功能說明
SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址,可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。。
待機模式
取消選擇時,設備進入待機模式(HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH)。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于高阻抗狀態(tài)。根據(jù)輸入電平,此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
寫模式
選擇芯片時(LOW和CS2 HIGH),寫使能()輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW,在此期間輸出緩沖區(qū)也會關閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW,來自I / O引腳(I / O0至I / O7)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
在地址引腳上指定。處于低電平時,來自I / O引腳(I / O8至I / O15)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
讀取模式
選擇芯片時(LOW和CS2為HIGH),寫使能()輸入為HIGH時,讀操作出現(xiàn)問題。當為低電平時,輸出緩沖器打開以進行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW,來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。處于低電平時,來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I / O8-15上。
在讀取模式下,可以通過拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下,內(nèi)部設備作為READ操作,但I / O處于高阻抗狀態(tài)。由于器件處于讀取模式,因此使用有功電流。
工作溫度范圍
商用工作溫度為0°C至+ 70°C ,電壓為2.2V 3.3V 3.6V
工業(yè)工作溫度為-40°C至+ 85°C ,電壓為2.2V 3.3V 3.6V
汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C,電壓為2.2V 3.3V 3.6V
ISSI
低功耗SRAM
Density |
Org. |
Part Number |
Vcc. |
Speed(ns) |
Pkg(Pins) |
產(chǎn)品類型 |
16Mb |
1Mx16 |
IS62WV102416ALL/BLL |
1.65-3.6V |
25,35 |
TSOP1(48),BGA(48) |
16Mb LP SRAM芯片 |
8Mb |
1Mx8 |
IS62WV10248DALL/BLL |
1.65-3.6V |
35,45,55 |
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
8Mb LP SRAM芯片 |
16Mb |
1Mx16 |
IS62WV102416EALL/BLL |
1.65-3.6V |
35,45,55 |
BGA(48) |
16Mb LP SRAM芯片 |
16Mb |
1Mx16/2Mx8 |
IS62WV102416DALL/BLL |
1.65-3.6V |
35,45,55 |
TSOP1(48) |
16Mb LP SRAM芯片 |
8Mb |
1Mx8 |
IS62WV10248EBLL |
1.65-3.6V |
35,45,55 |
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
8Mb LP SRAM芯片 |
本文關鍵詞:SRAM 低功耗SRAM IS62WV1024
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