為MRAM工藝打造的量測方案
2020-03-17 09:14:21
在不久的將來,我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運算和人工智能(AI)等應用中。美國
EVERSPIN還提供了幾種獨立的MRAM產(chǎn)品,鎖定包括航天、汽車、儲存、工廠自動化、IoT、智慧能源、醫(yī)療和工業(yè)機器控制/運算等應用。
半導體工藝控制和支持技術供貨商KLA對
MRAM作為一種新興的NVM技術的前景感到振奮,為IC制造商提供了一系列解決方案的組合,可幫助加速MRAM產(chǎn)品開發(fā),確保成功實現(xiàn)量產(chǎn)并在生產(chǎn)中取得最佳良率。這些技術解決方案包括:
使用散射測量和成像的迭對量測系統(tǒng)進行圖案對準(patterning alignment)量測,使用光學散射測量CD和形狀計量系統(tǒng)進行關鍵尺寸和3D組件形狀測量以及run time patterning control數(shù)分析,以優(yōu)化MRAM cell patterning 組件迭對、CD和形狀。
使用光譜橢圓偏振(SE)技術進行膜厚度和化學計量的測量,這些技術為MTJ迭層沉積提供了重要的關鍵參數(shù)。
MRAM堆棧沉積的電磁特性,可使用CAPRES電流平面穿隧(CIPTech)和MicroSense磁光Kerr效應,提供對預計的最終電池性能的早期反饋(MOKE)技術。CAPRESCIPTech是一種12點探針電阻技術,可在產(chǎn)品晶圓圖案化之前,針對MTJ迭層進行沉積、退火和磁化后的TMR和RA測量。MicroSense Polar Kerr MRAM (PKMRAM)則表征了磁性能,例如自由層和固定層的矯頑場,以及多層MTJ堆棧在沉積、退火和在毯覆薄膜或有圖案的晶圓上磁化。這種非接觸式全晶圓技術可測量自由層和固定層的磁性。
一系列控片和在線產(chǎn)品晶圓缺陷檢測和檢視系統(tǒng)(取決于靈敏度和采樣要求),可以在線檢測關鍵缺陷,幫助工程師發(fā)現(xiàn)并解決可能影響良率和組件性能的工藝問題。
In-situ process control wafers,透過在工藝反應爐中擷取和記錄參數(shù)并用于可視化、診斷和控制工藝條件。
本文關鍵詞: MRAM
相關文章:?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協(xié)議擴展到12nm工藝?
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. jungeum.cn 0755-66658299