隨著處理器日趨強(qiáng)大，尺寸越發(fā)小型。更加強(qiáng)大的處理器需要緩存進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)。與此同時(shí)每一個(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn)讓增加嵌入式緩存變得艱巨起來(lái)。SRAM擁有一個(gè)6晶體管架構(gòu)(邏輯區(qū)通常包含4個(gè)晶體管/單元)。這便意味著隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小，每平方厘米上的晶體管的數(shù)量將會(huì)非常多。這種極高的晶體管密度會(huì)造成很多問題，其中包括：




 
更易出現(xiàn)軟錯(cuò)誤：工藝節(jié)點(diǎn)從130nm縮小到22nm后，軟錯(cuò)誤率預(yù)計(jì)將增加7倍。
 
更低的成品率：由于位單元隨著晶體管密度的增加而縮小，SRAM區(qū)域更容易因工藝變化出現(xiàn)缺陷。這些缺陷將降低處理器芯片的總成品率。
 
更高的功耗：如果SRAM的位單元必需與邏輯位單元的大小相同，那么SRAM的晶體管就必須小于邏輯晶體管。較小的晶體管會(huì)導(dǎo)致泄露電流升高，從而增加待機(jī)功耗。
 
另一個(gè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是可穿戴電子產(chǎn)品的出現(xiàn)。對(duì)于智能手表、健身手環(huán)等可穿戴設(shè)備而言，尺寸和功耗是關(guān)鍵因素。由于電路板的空間有限，MCU必須做得很小，而且必須能夠使用便攜式電池提供的微小電量運(yùn)行。
 
片上緩存難以滿足上述要求。未來(lái)的可穿戴設(shè)備將會(huì)擁有更多功能。因此片上緩存將無(wú)法滿足要求，對(duì)外置緩存的需求將會(huì)升高。在所有存儲(chǔ)器選項(xiàng)中，SRAM最適合被用作外置緩存，因?yàn)樗鼈兊拇龣C(jī)電流小于DRAM，存取速度高于DRAM和閃存。我司英尚微電子提供不同容量的SRAM芯片，并代理VTI產(chǎn)品

VTI部分SRAM芯片型號(hào)如下：

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package	Packing	Status
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP

 
 
本文關(guān)鍵詞： SRAM

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