XM25QWxxC系列產品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內可達108MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供應商更快更強的性能，在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢。其傳輸速率優(yōu)勝于8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下可以實現(xiàn)高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實現(xiàn)真正的XIP（execute in place）操作。

   

 XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封裝，適用于便攜式產品設計。

 

“XM25QWxxC系列產品采用業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝，可使便攜式設備的電池壽命延長1.5倍以上。此外客戶可以通過寬電壓功能實現(xiàn)更好的庫存管理。” 武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示，“ 該系列產品的發(fā)布是武漢新芯自主品牌戰(zhàn)略的關鍵里程碑，未來武漢新芯也將針對持續(xù)發(fā)展的IoT市場不斷開發(fā)出創(chuàng)新產品，不斷擴展高性能存儲產品組合

我司代理武漢新芯SPI NRO FALSH芯片產品，可提供技術支持及燒錄等服務。

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