目前有數(shù)家芯片制造商,正致力于開發(fā)創(chuàng)新出名為STT-MRAM的新一代存儲器技術(shù),然而這項技術(shù)仍存在其制造和測試等面向存在著諸多挑戰(zhàn).STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中,結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場的高度重視.在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn),STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性.STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性,在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能.

STT-MRAM深受市場關(guān)注

盡管,STT-MRAM這項技術(shù)看起來雖然有其優(yōu)勢,卻也高度復(fù)雜,這就是為什么它的發(fā)展歷程遠比預(yù)期的時間還更長.包括三星、臺積電、英特爾、GlobalFoundries等,都正在持續(xù)開發(fā)STT-MRAM技術(shù).盡管如此芯片制造商在其晶圓設(shè)備上面臨到一些挑戰(zhàn),例如必須改進現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備,并將其升級到支援28nm或22nm甚至更新的納米制程.


Everspin提供了市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機存取存儲器，以協(xié)助客戶開發(fā)獨特且極具競爭力的產(chǎn)品 。專業(yè)生產(chǎn)MRAM產(chǎn)品芯片,并提供應(yīng)用解決方案.。

EVERSPIN MRAM芯片特性
•MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；
•真正無限次擦除使用；
•業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性；
•單芯片最高容量為16Mb；
•快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；
•具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(jié)(1T-1MTJ)位單元；
•最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內(nèi)存優(yōu)異；
•可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；
•具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；
•符合RoHS規(guī)范：無電池、無鉛；
•小封裝：TSOP、VGA、DFN.

在生產(chǎn)過程中測試也將發(fā)揮關(guān)鍵的作用.STT-MRAM需要新的測試設(shè)備,用于測試其磁場狀況.除此之外還包括在生產(chǎn)流程中的不同位置,例如晶圓廠中的生產(chǎn)階段、測試平臺、或者后測試等,都需要更為嚴格的檢測流程.

STT-MRAM不止能夠高速運行,其特色在于即使電源關(guān)閉了也能保留數(shù)據(jù),并且功耗也非常低.由于這些特性使得STT-MRAM十分適合應(yīng)用于嵌入式存儲器市場,而包括PC、行動設(shè)備等儲存裝置,也都十分關(guān)注STT-MRAM的發(fā)展腳步.

即便如此挑戰(zhàn)仍然存在.當MRAM芯片在強磁場中運作時,MRAM測試就會產(chǎn)生新的狀況.在非磁性的儲存設(shè)備中,不必擔心這一點.然而對于MRAM來說,環(huán)境中的磁場就成了一個新的考量因素.通常在操作期間需要利用強磁場來干擾STT-MRAM,這是需要經(jīng)過驗證并加以解決的問題.產(chǎn)業(yè)界目前正密切關(guān)注STT-MRAM,因為該儲存技術(shù)已經(jīng)開始被嵌入式領(lǐng)域的客戶用于產(chǎn)品設(shè)計階段的導(dǎo)入.
 
本文關(guān)鍵詞： MRAM 

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