Everspin MRAM高耐用性工業(yè)存儲芯片解決方案
2024-07-15 10:20:25
Everspin發(fā)布的EMxxLX產(chǎn)品是目前性能最高的永久性存儲器。它非常適合數(shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗、低延遲和安全性至關(guān)重要的電子系統(tǒng),例如工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)/企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、過程自動化和控制、航空/航空電子、醫(yī)療、游戲和FPGA配置。
基于Everspin獨特的
STT-MRAM技術(shù)的行業(yè)首款xSPI串行接口是唯一一款商用持久性存儲器,通過8個時鐘頻率為200MHz的I/O信號提供每秒400兆字節(jié)的完全讀寫帶寬。新的擴展EMxxLX系列器件提供了性能、耐用性和保持力的最高組合,現(xiàn)在提供4到64兆位的密度,并為4到16兆位產(chǎn)品提供了新的更小的封裝。新的5mmx 6mm DFN封裝比現(xiàn)有產(chǎn)品節(jié)省37%的面積。除了新的容量和更小的封裝,Everspin還在從40℃到105℃.的EMxxLX產(chǎn)品中提供擴展的溫度范圍。EMxxLX系列可以取代替代解決方案,如SRAM、BBSRAM、FRAM、NVSRAM和NOR閃存器件。產(chǎn)品相關(guān)信息及樣品支持聯(lián)系英尚微電子。
在快速增長的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)市場中,客戶比以往任何時候都更需要在任何情況下保護(hù)關(guān)鍵系統(tǒng)數(shù)據(jù),尤其是在斷電的情況下,而不用擔(dān)心磨損或數(shù)據(jù)完整性問題?,F(xiàn)在不僅具有類似SRAM的低延遲性能和無需電源即可保持內(nèi)存的能力,還具有擴展的溫度范圍以滿足不同的環(huán)境需求。通過添加4Mb容量選項,
MRAM設(shè)備提供了更多選項來選擇最佳密度解決方案。它們繼續(xù)提供極高的耐用性,保持與其他存儲器類型的兼容性,并且易于集成到客戶的設(shè)計中。
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