隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術的不斷發(fā)展，端點設備中使用的MCU預計將提供比以往更高的性能。高性能MCU的CPU時鐘頻率在數(shù)百MHz，因此為了獲得更高的性能，需要提高嵌入式非易失性存儲器的讀取速度，以盡量減少與CPU時鐘頻率之間的差距。

 

    MRAM的讀取余量比傳統(tǒng) MCU 中使用的閃存更小，使得高速讀取操作更加困難。另一方面，對于寫入性能，MRAM 比閃存更快，因為它在執(zhí)行寫入操作之前不需要擦除操作。然而，縮短寫入時間不僅對于日常使用來說是可取的，而且對于降低在測試過程中寫入測試模式以及最終產品制造商寫入控制代碼的成本也是有利的。

    英尚微MRAM存儲芯片供應商代理有Everspin、Netsol等品牌,MRAM具有快速且不易失的特點?？焖倌陀玫姆且资越鉀Q方案的需求正在逐漸增加。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲?Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性.

本文關鍵詞：MRAM
 

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