目前，新興的存儲技術(shù)旨在集成SRAM的開關速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存儲技術(shù)可主要分為相變存儲器(PCM)、磁變存儲器（MRAM）、阻變存儲器（RRAM/ReRAM）以及鐵電存儲器（FRAM/FeRAM）。
 
相變存儲器通過相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值，主要適用于大容量的獨立式存儲應用。磁變存儲器通過磁性材料中磁籌的方向變化改變電阻，主要適用于小容量高速低功耗的嵌入式應用。
 
而阻變存儲器則利用阻變材料中導電通道的產(chǎn)生或關閉實現(xiàn)電阻變化，目前主要用于物理不可克隆芯片（PUF），并有可能在未來的人工智能、存算一體等領域發(fā)揮作用。此外，近年來，存算一體正逐漸成為解決當前存儲挑戰(zhàn)的熱門趨勢之一。
 
上述新型存儲技術(shù)都具備一些共性，比如具有非易失性或持久性的特點，而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ROM）技術(shù)；部分技術(shù)可通過工藝縮小尺寸，從而降低成本；無需使用閃存所需的塊擦除/頁寫入方法，從而大大降低了寫入耗電需求，同時提高了寫入速度。下表為新型存儲技術(shù)關鍵指標對比：
 
新型存儲技術(shù)關鍵指標對比

指標	PCM	MRAM	RRAM	FRAM
非易失性	是	是	是	是
工作電壓	較高(>3V)	較低(<1.5V)	較低(<1.5V)	/
多級	是	否	是	是
持久性	良	更佳	更佳	/
兼容性	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容
代表公司	英特爾、美光	Everspin	Crossbar	英飛凌、富士通半導體
商用領域	混合固態(tài)盤、持久內(nèi)存	嵌入式	/	IC卡、MCU

本文關鍵詞：MRAM,SRAM,FRAM

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