MR256D08BMA45R是一款容量為256Kb的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O電壓。MR256D08BMA45R提供與SRAM兼容的45ns讀/寫時(shí)序，具有無限的耐用性。
 
MR256D08BMA45R的數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。是必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。
 
此款并口MRAM芯片能在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。封裝采用48BGA)，并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。
 
EVERSPIN在2006年從飛思卡爾半導(dǎo)體公司獨(dú)立分離出來，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產(chǎn)品，也是全球第一家生產(chǎn)商業(yè)化MRAM芯片，是世界領(lǐng)先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商，產(chǎn)品廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。
 

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM,MRAM,MR256D08BMA45R

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