外部SRAM作為存儲中等大小的數(shù)據(jù)模塊的緩沖表現(xiàn)良好。可以使用外部SRAM作為不適合片內(nèi)存儲器且反應(yīng)時間又低于SDRAM的數(shù)據(jù)緩存。還可以將多個SRAM相組合以增加容量。
 
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù)，反應(yīng)時間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短，而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。SRAM是大型LUT的理想存儲器種類，能夠儲存諸如對于片內(nèi)存儲器來說過于巨大的色彩轉(zhuǎn)換運(yùn)算法則數(shù)據(jù)。
 
外部SRAM作為執(zhí)行存儲器為無緩存的CPU工作時表現(xiàn)相對良好。當(dāng)CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應(yīng)時間時，外部SRAM的低反映時間特性有助于改善CPU的性能。
 
為使外部SRAM器件達(dá)到出最佳性能，建議遵循使用與連接的主系統(tǒng)控制器的接口數(shù)據(jù)帶寬相同的SRAM。如果管腳使用或板上空間的限制高于系統(tǒng)性能要求，可以使用較連接的控制器的數(shù)據(jù)帶寬小一些的SRAM設(shè)備，以便減少管腳數(shù)量并減少PCB板上可能的存儲器數(shù)量。然而，這種變化將導(dǎo)致降低SRAM接口的性能。
 
國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1是一款可用于外擴(kuò)MCU的靜態(tài)SRAM，容量為512Kbit的Serial SRAM，它在內(nèi)部組織為64K字，每個字8位。最大時鐘頻率20MHz，提供高速性能和低功耗。電源電壓范圍為2.7V~3.6V，工作電流最大2mA@1MHz，待機(jī)電流最大15µA@25℃，可在-40℃至+85℃（工業(yè)級）的溫度范圍內(nèi)工作，并采用節(jié)省空間的8-TSSOP標(biāo)準(zhǔn)封裝封裝。代理商英尚微支持提供樣品測試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。


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