新能源汽車的核心技術(shù)，是大家所熟知的動力電池，電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)都需要實時和連續(xù)地對當(dāng)前狀態(tài)信息進(jìn)行監(jiān)控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設(shè)計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。

 
FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用
高燒寫耐久性，高速寫入操作：
•系統(tǒng)每0.1或1秒，實時和連續(xù)地存儲重要數(shù)據(jù)（故障信息,SOH和SOC等）。
•系統(tǒng)需要監(jiān)控短期（最后幾個充電周期，60次/秒）和長期（整個電池壽命）電池性能。

 
FRAM在整車控制單元VCU中的應(yīng)用
高燒寫耐久性，高速寫入操作：
系統(tǒng)需要以每秒一次的頻率去實時記錄汽車行駛的當(dāng)前狀態(tài)和發(fā)生故障時的變速器擋位，加速狀況，剎車和輸出扭矩等信息。

 
FRAM在T(Telematics）-BOX中的應(yīng)用
高讀寫耐久性，高速寫入操作：
•系統(tǒng)需要1次/0.2秒的速度，連續(xù)記錄CAN通信數(shù)據(jù)。
•系統(tǒng)需要1次/秒的速度，連續(xù)地記錄位置數(shù)據(jù)。
•系統(tǒng)要求記錄在發(fā)生事故前的10秒內(nèi)，每秒的行駛數(shù)據(jù)（剎車，發(fā)動機轉(zhuǎn)速等）。
上述數(shù)據(jù)1次/10秒的頻率轉(zhuǎn)送到從FRAM轉(zhuǎn)送到Flash里。
   
 
富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

 
本文關(guān)鍵詞： FRAM  

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