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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統(tǒng)成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。
winbond華邦電子聚焦于中低容量產品，提供規(guī)格完整的串口式閃存（Serial Flash）和并行式閃存（Parallel Flash）產品以及PSRAM芯片產品，滿足小尺寸封裝規(guī)格，具有腳數(shù)低、體積小、成本低的特性；拓展應用于行動裝置、消費電子，以及多樣性之車用電子、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴裝置等應用領域。winbond華邦電子運用技術自主之優(yōu)勢及謹慎規(guī)劃的產能策略，建立極具彈性的生產體系，并發(fā)揮產品組合相乘所產生之綜效，充分滿足客戶多元化需求、落實自有品牌之發(fā)展。該品牌非我司代理產品線
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256Mb 1.8V / 1.8V W958D6DBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
256Mb 1.8V / 1.8V W968D6DAG 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM 暫無
128Mb 1.8V / 1.8V W957D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
128Mb 1.8V / 1.8V W967D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM 暫無
64MB 1.8V W966D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM 暫無
64MB 1.8V W956D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
64MB 1.8V W956D6KBK 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
32MB 1.8V W956K6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM-ADM 暫無
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暫無
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暫無
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16PDGA-70 70ns -40~85℃ -- 暫無
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16BDGB-701 70ns -40~85℃ -- 暫無
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