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CellularRAM(簡稱CRAM)存儲器是一種合并DRAM和SRAM的偽靜態(tài)DRAM（pSRAM）設(shè)備采用SRAM架構(gòu)，隱藏刷新操作，同時兼容SRAM引腳，這種混合內(nèi)存提供了最好的SRAM和DRAM的特點，結(jié)合低功耗和高速讀寫函數(shù)，還同時提供同步操作，存儲速度快，可變延遲初始的突發(fā)訪問，可以提高吞吐量和優(yōu)異IDE性能。
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的SRAM。
由于濟州半導體出道到SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導體持續(xù)實施全系列低功耗SRAM產(chǎn)品通過1M、2M、4M至8M SRAM。
濟州半導體的SRAM是建立在強大的6晶體管存儲單元的技術(shù)，可以在非常低的功耗的快速存取時間。濟州半導體存儲器產(chǎn)品已被公認為最強大的低功耗存儲解決方案，可以穩(wěn)定地運行任何嚴謹?shù)沫h(huán)境下可以通過移動手機。濟州半導體是由世界領(lǐng)先的手機制造商公認的一個最可靠的SRAM制造商。除了手機應用，濟州半導體SRAM SRAM提供產(chǎn)品應用在全世界。
Density KGD Part Number PKG Part Number Voltage Max Speed Page Mode DPD Mode Package Type PDF下載
128Mb JSC28SSP8AG JSC28SSP8AGDY-50I 1.8V 200MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暫無
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64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AG 1.8V 200MHz Non O KGD 暫無
64Mb EMC643SP16CKx EMC643SP16CKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
64Mb EMC643SP16BKx EMC643SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
64Mb EMC646SP16BKx EMC646SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暫無
32Mb EMC323SP16BKx EMC323SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暫無
32Mb EMC326SP16BKx EMC326SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暫無
16Mb EMC326SP16BKx EM7164SP16CSP-70LFI 1.8v 133MHz -- -- -- 暫無
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